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| 常用的賀德克壓力傳感器選用N型硅片作為基片 |
| 點(diǎn)擊次數(shù)：1096 更新時(shí)間：2020-06-26 |
| 賀德克壓力傳感器可分為兩類(lèi)，一類(lèi)是根據(jù)半導(dǎo)體PN結(jié)（或肖特基結(jié)）在應(yīng)力作用下，I-υ特性發(fā)生變化的原理制成的各種壓敏二極管或晶體管。這種壓力敏感元件的性能很不穩(wěn)定，未得到很大的發(fā)展。另一類(lèi)是根據(jù)半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)構(gòu)成的傳感器，這是賀德克壓力傳感器的主要品種。早期大多是將半導(dǎo)體應(yīng)變片粘貼在彈性元件上，制成各種應(yīng)力和應(yīng)變的測(cè)量?jī)x器。60年代，隨著半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了由擴(kuò)散電阻作為壓阻元件的賀德克壓力傳感器。這種壓力傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠，沒(méi)有相對(duì)運(yùn)動(dòng)部件，傳感器的壓力敏感元件和彈性元件合為一體，免除了機(jī)械滯后和蠕變，提高了傳感器的性能。 半導(dǎo)體具有一種與外力有關(guān)的特性，即電阻率（以符號(hào)ρ表示）隨所承受的應(yīng)力而改變，稱(chēng)為壓阻效應(yīng)。單位應(yīng)力作用下所產(chǎn)生的電阻率的相對(duì)變化，稱(chēng)為壓阻系數(shù)，以符號(hào)π表示。以數(shù)學(xué)式表示為墹ρ/ρ=πσ 式中σ表示應(yīng)力。半導(dǎo)體電阻承受應(yīng)力時(shí)所產(chǎn)生的電阻值的變化（墹R/R），主要由電阻率的變化所決定，所以上述壓阻效應(yīng)的表達(dá)式也可寫(xiě)成墹R/R=πσ 在外力作用下，半導(dǎo)體晶體中產(chǎn)生一定的應(yīng)力（σ）和應(yīng)變（ε），它們之間的相互關(guān)系，由材料的楊氏模量（Y）決定，即Y=σ/ε 若以半導(dǎo)體所承受的應(yīng)變來(lái)表示壓阻效應(yīng)，則是墹R/R=Gε G稱(chēng)為壓力傳感器的靈敏因子，它表示在單位應(yīng)變下所產(chǎn)生的電阻值的相對(duì)變化。 壓阻系數(shù)或靈敏因子是半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)的基本物理參數(shù)。它們之間的關(guān)系正如應(yīng)力與應(yīng)變之間的關(guān)系一樣，由材料的楊氏模量決定，即G=πY 由于半導(dǎo)體晶體在彈性上各向異性，楊氏模量和壓阻系數(shù)隨晶向而改變。半導(dǎo)體壓阻效應(yīng)的大小，還與半導(dǎo)體的電阻率密切有關(guān)，電阻率越低靈敏因子的數(shù)值越小。擴(kuò)散電阻的壓阻效應(yīng)由擴(kuò)散電阻的晶體取向和雜質(zhì)濃度決定。雜質(zhì)濃度主要是指擴(kuò)散層的表面雜質(zhì)濃度。 常用的賀德克壓力傳感器選用N型硅片作為基片。先把硅片制成一定幾何形狀的彈性受力部件，在此硅片的受力部位，沿不同的晶向制作四個(gè)P型擴(kuò)散電阻，然后用這四個(gè)電阻構(gòu)成四臂惠斯登電橋，在外力作用下電阻值的變化就變成電信號(hào)輸出。這個(gè)具有壓力效應(yīng)的惠斯登電橋是壓力傳感器的心臟，通常稱(chēng)作壓阻電橋（圖1）。壓阻電橋的特點(diǎn)是：電橋四臂的電阻值相等（均為R0）；電橋相鄰臂的壓阻效應(yīng)數(shù)值相等、符號(hào)相反；電橋四臂的電阻溫度系數(shù)相同，又始終處于同一溫度下。圖中R0為室溫下無(wú)應(yīng)力時(shí)的電阻值；墹RT為溫度變化時(shí)由電阻溫度系數(shù)（α）所引起的變化；墹Rδ為承受應(yīng)變（ε）時(shí)引起的電阻值變化。
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